Транзистор
Реферат, 07 Декабря 2013
Транзистор (ағылш. transfer — тасымалдау және resistor — кедергіш) — токты күшейтуге, түрлендіруге арналған үш электродты жартылай өткізгіш құрал. Транзисторға жіберілген аз ток (кернеу) үлкен ток ағынын басқарады.
Транзистор — электр тербелістерін күшейтуге, оны тудыруға және түрлендіруге арналып жартылай өткізгіш кристалл негізінде жасалған электрондық прибор. Электрондық лампа сияқты қызмет атқаратын транзисторлар одан өлшемінің едәуір кішілігімен, электр энергиясын тұтынудағы аса үнемділігімен, механикалық аса беріктігімен және бүлінбей ұзақ жұмыс істейтіндігімен, бірден әсер етуге әзірлігімен ерекшеленеді.
Транзистор
Реферат, 10 Декабря 2013
Жоғарыда айтылған р-n ауысудың қасиетін, жартылай өткізгіштік триод немесе транзистор деп аталынатын, электрлік тербелістерді күшейткіштер жасау үшін пайдалануға болады.
Транзисторда кристалдың екі р – аймағы жіңішке n – аймағымен бөлінеді (1-сур.). Мұндай транзисторды р-n-р деп шартты белгілейді. n- р- n – типті транзистор да жасауға болады, яғни кристалдың екі n – аймағы жіңішке р – аймағымен бөлінеді.
Транзисторы
Курсовая работа, 16 Октября 2014
Транзисторы предназначены для генерации, усиления и преобразования электрических сигналов.В импульсных схемах они работают в режиме ключа,когда транзистор находиться только в двух состояниях :включённом (открытом),либо выключенном (закрытом).Переход из одного состояния в другое происходит очень быстро,что отвечает основным требованиям большого быстро действия.
Транзисторы
Лекция, 10 Января 2014
В большую «семью» полупроводниковых приборов, называемых транзисторами, входят два вида:биполярные и полевые. Первые из них, чтобы как — то отличить их от вторых, часто называютобычными транзисторами. Биполярные транзисторы используются наиболее широко. Именно с них мы пожалуй и начнем. Термин «транзистор» образован из двух английских слов: transfer — преобразователь и resistor — сопротивление. В упрощенном виде биполярный транзистор представляет собой пластину полупроводника с тремя (как в слоеном пироге) чередующимися областями разной электропроводности (рис. 1), которые образуют два р — n перехода. Две крайние области обладают электропроводностью одного типа, средняя — электропроводностью другого типа. У каждой области свой контактный вывод
Полевой транзистор
Реферат, 12 Ноября 2013
Транзистордың көп тараған бір түрі биполярлы транзистор болып табылады. Биполярлы транзисторлар үш кезектелген электрондық (п) немесе кемтіктік (р) өткізгіштік облыстардан тұрады. Олар р-п-р және п-р-п типті болып ажыратылады. Биполярлы транзистордың ортаңғы облысы база, қалған екеуі эмиттер және коллектор деп аталады. База эмиттер мен коллектордан тиісінше эмиттерлік және коллекторлық р-п ауысуларымен бөлінген. Биполярлық транзистордың жұмыс істеу принципі база арқылы өтетін негізгі емес заряд тасушылардың ағынын бақылауға негізделген.
Шумы в транзисторах
Реферат, 14 Июня 2013
В транзисторном усилительном каскаде основным источником шумов являются транзисторы, шумы которых превосходят величину шумов других элементов схемы.
Источниками шумов в транзисторе являются:
электронно-дырочные переходы;
активные составляющие областей базы, эмиттера коллектора;
случайные перераспределения тока между коллектором и базой;
неоднородности полупроводникового материала.
Транзисторы типа n-p-n
Реферат, 23 Марта 2015
Интегральная микросхема (ИМС) — это изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов, которые могут рассматриваться как единое целое, выполнены в едином технологическом процессе и заключены в герметизированный корпус.
Биполярлы транзистор
Курсовая работа, 30 Сентября 2013
Қазіргі кезде өнеркәсіптік электроникада негізінен жартылай өткізгіштен жасалған құрылғылар қолданылады. Мұның себебі вакуумдық құрылғыларға қарағанда жартылай өткізгіштерден жасалған құрылғылардың тиімділігі жоғары десе болады. Жартылай өткізгішті приборлардың түрлері өте көп. Мысалы: варисторлар,терморезисторлар, фоторезисторлар, тензо-резисторлар.транзисторлар, теристорлар, тиринисторлар т.б. Енді осы құрылғыларға тоқталып көрейік. Кернеуі өскен сайын кедергісі азаятын жартылай өткізгіштен жасалған резисторда варистор деп атайды.Варисторлар ұнтақ силиций карбидін байланыстырушы ретінде саз қосып,жоғары температурада күйдіру арқылы жасайды.Олардың конструкциясы негізінен шыбық не диск түрінде болады. Варисторлар электр тізбектерін немесе әр түрлі элементтерді асқын кернеуден сақтау үшін қолданылады. Кедергісі температурадан тәуелі өзгеріп тұратын жартылай өткізгішті материалдан жасалған резисторды терморезистор деп атайды.
Биполярлы транзистор
Реферат, 07 Ноября 2014
Ақылбай Абайдың 16 жасында дүниеге келген алғашқы әйелі Ділдәдан туған тұңғыш баласы екендігін, балалық және жастық шағын үлкен әкесі Құнанбайдың кенже баласы атанып, оның төртінші әйелі Нұрғанымның қолында өткізгендігін, сондықтан оның Абайға көбінше іні есебінде қарап өскендігін айтады. Жас кезі Абайдай әкеден аулақта өткендіктен, Ақылбайдың орысша оқи алмай қалғандығын, оның оқу-білімі, ауылда оқыған мұсылманша оқудың орта дәрежесі екендігін зерттеуші ескертіп өтеді.
Транзисторы КТ301Ж и КП103Ж
Курсовая работа, 09 Марта 2013
Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами - те же, как и у полупроводниковых диодов - отсутствие накалённого катода, потребляющего значительную мощность и требующего времени для его разогрева. Кроме того, транзисторы сами по себе во много раз меньше по массе и размерам, чем электрические лампы, и транзисторы способны работать при более низких напряжениях и более высоких частотах.
Но наряду с положительными качествами, триоды имеют и свои недостатки. Как и полупроводниковые диоды, транзисторы очень чувствительны к повышению температуры, электрическим перегрузкам и сильно проникающим излучениям (чтобы сделать транзистор более долговечным, его помещают в специальные корпуса).
Транзисторы КТ301Ж и КП103Ж
Курсовая работа, 28 Января 2013
Применение полупроводниковых приборов (включая транзисторы) позволило разрешить множество задач. Транзисторы благодаря своим малым габаритам и массе, незначительному потреблению электроэнергии, высокой надежности и долговечности широко применяются в различной аппаратуре.
Режимы работы транзистора
Реферат, 26 Октября 2014
Полупроводниковые приборы ( диоды и транзисторы) благодаря малым габаритам и массе, незначительному потреблению электроэнергии, высокой надёжности и долговечности широко применяются в различной радиоэлектронной аппаратуре. В настоящее время почти вся бытовая радиоэлектронная техника, включая телевизоры, приёмники, магнитофоны и др., работает на полупроводниковых приборах и микросхемах. Применение полупроводниковых приборов в электронных вычислительных машинах позволило решить проблему достижения высоких эксплуатационных параметров ЭВМ при обеспечении требуемой надёжности. Для конструирования надёжных схем на транзисторах, то есть для правильного выбора типа транзистора, грамотного расчёта схем, выбора оптимального теплового и электрического режимов, необходимо располагать подробными сведениями, характеризующими эксплуатационные свойства транзисторов.
Типовой биполярный транзистор
Реферат, 20 Октября 2015
Основным схемным элементом полупроводниковых ИМС является транзистор типа
n-p-n. Он обладает лучшими характеристиками, чем транзистор типа p-n-p, а технология его изготовления более проста. Остальные элементы ИМС выбирают и конструируют таким образом, чтобы они совмещались со структурой транзистора типа n-p-n. Их изготовляют одновременно с транзистором n-p-n на основе какой-либо из его областей. Таким образом, выбор физической структуры транзистора типа n-p-n определяет основные электрические параметры остальных элементов микросхемы.
Усилитель на биполярном транзисторе
Курсовая работа, 22 Апреля 2012
Усиление представляет собой процесс повышения энергии сигнала, в результате воздействия на него источника энергии. От источника энергии, называемого источником питания, потребляется мощность Р0, часть которой Р2, называемая выходной мощностью, в преобразованном виде передаётся нагрузке. Для преобразования мощности Р0, чаще всего в виде мощности постоянного тока, в мощность Р2, как правило, переменного тока затрачивается мощность Р1, получаемая от источника сигнала и называемая входной. Отсюда следует, что усиление представляет собой процесс увеличения мощности сигнала. Устройство, обладающее способностью усиливать мощность источника сигнала, называется усилителем .
Технологии изготовления транзисторов
Курсовая работа, 06 Августа 2013
Диффузионные транзисторы широкое применение получили в аналоговой технике. Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, напротив, диффузионные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми.
Первые диффузионные транзисторы были плоскостными. Для изготовления плоскостных транзисторов в 1950 г. существенно усовершенствовались методы выращивания монокристаллов германия и кремния. Всё это позволило в 1952 г. создать первые образцы плоскостных германиевых транзисторов. В 1952 г. были созданы сплавные транзисторы, получившие в дальнейшем широкое распространение. В настоящее время получение p-n переходов сплавным методом все меньше и меньше является актуальным.
Расчет токов биполярного транзистора
Контрольная работа, 07 Июня 2014
Биполярный транзистор включен по схеме с общей базой. При постоянном значении выходного напряжения произошло изменение входного напряжения (от до ). В результате этого изменился входной ток (от до ) и, в свою очередь, изменен выходной ток (от до ).
Определить: .
Затем при неизменном входном токе изменилось выходное напряжение (от до ), что привело к изменению выходного тока (от до ).
Определить величину тока
Построить входные и выходные характеристики транзистора, указать на них масштабы токов и напряжений, а также положения точек , , , и .
Планирование производства транзисторов
Курсовая работа, 14 Декабря 2011
Современное предприятие является сверхсложной системой, которой приходится управлять в нестабильных условиях перехода к рынку. Сверхсложная природа предприятия требует предварительного анализа как его самого, так и внешней среды и выработки детальной последовательности действий по постановке целей и их реализации, т.е. сверхсложная природа предприятия, побуждает формировать план.
Планирование на предприятии позволяет в полной мере учитывать влияние изменений внешней среды, разрабатывать программы противодействия негативным факторам и программы использования благоприятных возможностей для предприятия, а также программы альтернативных стратегий в случае наступления или ненаступления определенных рисков. Все это делается для минимизации негативных факторов и максимального использования благоприятных обстоятельств.
Планирование — это процесс разработки и установления руководством предприятия, система количественных и качественных показателей его развития, которая определяет темпы, пропорции, тенденции развития данного предприятия как в текущем, так и на перспективу.
Отчет по практике на УП “Завод Транзистор”
Отчет по практике, 13 Января 2014
Производственное республиканское унитарное предприятие «Завод Транзистор», входящее в состав научно-производственного объединения «Интеграл», является предприятием Министерства промышленности Республики Беларусь и является одним из крупнейших производителей полупроводниковых приборов в СНГ. Предприятие имеет замкнутый технологический цикл производства полупроводниковых приборов, начиная с резки кремниевых слитков Æ 3,4,6 дюймов и заканчивая сборкой и измерением приборов.
Эволюция транзистора и революции процессоров
Реферат, 09 Июня 2012
Технологический процесс производства микропроцессоров неразрывно связан с эволюцией и постоянным усовершенствованием транзистора. Транзистор, изобретённый в 1948 году в лабораториях корпорации Bell, позволил создавать компьютер из малоразмерных электронных схем, созданных на печатных платах. Революционная роль транзистора – в его малых размерах. Объединение большого числа таких транзисторов на текстолитовой плате позволило создавать отдельные узлы и даже целые устройства.
Области применения и примеры применения транзисторов
Доклад, 16 Декабря 2012
Транзистор – полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. В связи с тем, что транзисторы очень легко приспосабливать к различным условиям применения, они почти полностью заменили электронные лампы. На основе транзисторов и их применений выросла широкая отрасль промышленности - полупроводниковая электроника.
Расчет предварительного усилителя на транзисторе КТ3107И
Курсовая работа, 29 Октября 2014
Произведем необходимые расчеты для выбора транзистора:
где Uн – напряжение на нагрузке Rн – сопротивление нагрузки
Мощность, рассеиваемая на коллекторе (при = 1.1) к = 8Pн = 81.12 = 17,6 мВт
Расчет однокаскадного усилителя биполярного транзистора
Курсовая работа, 30 Декабря 2013
Транзистор – это полупроводниковый электронный прибор, управляющий током в электрической цепи, за счёт изменения входного напряжения или тока. Но по сути это обычный выключатель, включающий и выключающий ток, на котором, кстати, и основан компьютерный код, где 1 означает то, что ток есть, а 0 его отсутствие. Изобретению этого устройства мы обязаны американской лаборатории Bell Labs, в которой Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн в далёком 1947 году создали его.
Расчет параметров кремниевого интегрального МДП-транзистора
Курсовая работа, 16 Декабря 2014
Транзистор (от англ. transfer — переносить и resistor — сопротивление) – электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний. Изобретён в 1948 У. Шокли, У.Браттейном и Дж. Бардином (Нобелевская премия, 1956). На основе транзисторов и их применений выросла широкая отрасль промышленности – полупроводниковая электроника. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов – интегральных схем.
Исследование усилительных каскадов на биполярных транзисторах
Лабораторная работа, 01 Ноября 2014
Цель работы – Изучение работы усилительных каскадов на биполярных транзисторах, определение основных параметров. Подготовка к работе. Запустить программу Electronics Workbench (ярлык на рабочем столе). В разделе Library выбрать default, в разделе Model – тип транзистора ideal. Щелкнуть последовательно кнопки Copy и Paste, записать латинскими буквами в появившемся окне тип транзистора в соответствии с вариантом задания и нажать кнопку ОК.
Расчес транзистора, схема включения, основные типы транзисторов
Курсовая работа, 30 Ноября 2013
В залежності від того, який електрод є спільним для вхідного та вихідного кола, розпізнають три схеми включення транзистора; з загальною базою (ЗБ), з загальним емітером (ЗЕ) та з загальним колектором (ЗК), рисунок 1.1.
Усилитель напряжения низкой частоты на транзисторе с общим эмиттером
Курсовая работа, 06 Ноября 2013
Усилитель напряжения низкой частоты предназначен для усиления малого напряжения переменного тока в различных диапазонах частот. Входное напряжение усилителя может иметь величину от единиц микровольт до десятков милливольт, выходное - не превышает нескольких вольт. Коэффициент усиления таких усилителей обычно не более ста. На рисунке 1 приведена типовая схема усилителя.
Малосигнальные параметры биполярного транзистора, мето-дика их измерения в пакете Micro-Cap
Реферат, 21 Мая 2015
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают n-p-n и p-n-p транзисторы (n — электронный тип примесной проводимости, p — дырочный).
Функциональные аспекты транзисторов. Расчёт усилительного каскада на биполярном транзисторе
Курсовая работа, 07 Апреля 2014
В данной курсовой работе были рассмотрены транзисторы: полевые и биполярные.
В первом разделе курсовой работы представлено обобщенное описание полевых транзисторов, основные компоненты и принципы работы, разновидности и типы. Выполнено решение первой задачи: построена нагрузочная прямая, произведены расчёты.
Во втором разделе представлено описание схемы биполярного транзистора и принцип раоты. Произведем расчёт задачи второй.
В третьем разделе мы подобрали рабочую схему. Описали принцип действия электронных ключей и в примере описана автомобильная сигнализация.
Метод измерения входного сопротивления биполярного транзистора в режиме малого сигнала (h11б) на низкой частоте
Контрольная работа, 19 Ноября 2012
Измерительные установки, в которых используются стрелочные приборы, должны обеспечивать измерения с основной погрешностью в пределах ±5 % конечного значения рабочей части шкалы.
Для измерительных установок с цифровым отсчетом основная погрешность должна быть в пределах ±5 % измеряемой величины ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.