Транзисторы

   

 

 

 

 

 

 

 

КУРСОВАЯ  РАБОТА

 

 

                

 

ПО ПРОИЗВОДСТВЕННОМУ ОБУЧЕНИЮ

                  ПРОФЕССИЯ  « РАДИОМЕХАНИК» 

 

Тема  «ТРАНЗИСТОРЫ»

 

 

 

                                                                                                        

                                                                    

                                                                    

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

                                        г Батайск    2008 г.

 

 

РАЗДЕЛ 1

 

Назначение и принцип действия транзистора.

Транзисторы предназначены для генерации, усиления и преобразования электрических сигналов.В импульсных схемах они работают в режиме ключа,когда транзистор находиться только в двух состояниях :включённом (открытом),либо выключенном (закрытом).Переход из одного состояния в другое происходит очень быстро,что отвечает основным требованиям большого быстро действия.

Транзисторы подразделяются на биполярные и униполярные.

Транзисторы  представляют собой полупроводниковые приборы с двумя или более р-п переходами, позволяющие усиливать электрические сигналы, и имеющие  три и более выводов.

В радиоэлектронной аппаратуре  применяют транзисторы двух видов. У транзисторов типа р-п-р используется основной полупроводник типа р ,разделенный областью п.    

На схемах (Б) её изображают полужирной чертой внутри окружности и называют базой Б.

Левая область полупроводника обозначенная стрелкой называется эмиттером ( Э), а правая коллектором (К). В условном обозначении транзистора р-п-р стрелка эмиттера направлена к базе, а у транзистора п-р-п от базы.

 По внешнему виду большинство

                                                  транзисторов  похожи друг на  друга

                                                   для определения их следует 

                                                   руководствоваться справочниками.

                                                   В полупроводнике определенного  вида 

                                                  проводимости разделённом,

                                             

по середине небольшой областью полупроводника противоположного вида два р-п перехода. Такая система обладает, усилительными свойствами это положение вошло в основу  устройства полупроводникового триода-транзистора.

 

Классификация по конструкции.

 

 По конструкции полевые транзисторы различают с управляющим р-п переходом и с изолированным затвором с встроенным или индуцированным каналом.У таких транзисторов электрод от которого начинают движение основные носители заряда называется истоком,электрод к которому движутся основные носители заряда – стоком ,а электрод к которому прикладывают управляющее напряжение-затвором.

По материалу изготовления транзисторы бывают кремневые или германиевые:по механизму движения носителей заряда-диффузионные  или дрейфовые.

 

 

 

РАЗДЕЛ 2

 

Техника безопасности при монтаже.

 

1.Производить работу только в спецодежде застёгнутой на все пуговицы                                                                            2.Пользоваться  исправным  инструментом и приспособлениями: жало паяльника  не должно качаться ,шнур не должен иметь нарушений изоляций, на ручке не должно быть трещин.

3.Напряжение питания электропаяльника должно быть не выше 36В,приспособлений для обжига изоляции не выше 6В.

4.В перерывах между пайкой паяльник держать на огнеупорной подставке.

5.Припаиваемый провод нужно придерживать пинцетом во избежание ожогов.

6.Во избежание образования брызг при пайке необходимо наносить минимальное  количество флюса.

7.Лишний припой с жала паяльника вытирать о салфетку.

8.Пользуясь бокорезами откусывать провод от себя, но следить за тем, чтобы отлетающие частицы не попали в окружающих.

9.Все операции пайки и лужения должны производиться при включенной вентиляции.

10. Л В Ж (спирт ацетон бензин) применяемые для промывки мест пайки должны храниться в небьющейся таре в стороне от паяльника.

  

 

Технологический процесс монтажа транзисторов.

 

1. КОМПЛЕКТОВАНИЕ   - произвести комплектование транзистора обращая внимание на трещины, сколы, стёртые надписи.

 

2. ФОРМОВКА - используются следующие инструменты

Плоскогубцы, круглогубцы ,пинцет.

Произвести формовку соблюдая требования:

Крепление транзисторов должно производиться за корпус.

Изгиб внешних выводов необходимо выполнять на расстоянии не ближе 10мм от проходного изолятора. Изгиб жёстких выводов мощных транзисторов ЗАПРЕЩАЕТСЯ.

Взять круглогубцы и сформовать выводы, выводы от корпуса не должны быть погнуты. Изгиб выводов разрешается производить на расстоянии не менее 3мм от корпуса.

 

 

 

3мм

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Установка транзистора.

По справочнику определить цоколёвку транзистора и произвести цветомаркировку  т.е одеть цветные трубки на выводы транзистора:

БАЗА-БЕЛЫЙ

КАТОД-СИНИЙ

ЭММИТЕР-КРАСНЫЙ.

 

 

Пайка.

1. Пайка выводов должна осуществляться на расстоянии не ближе 10 мм от корпуса прибора.

2. Мощность паяльника должна быть не более 60Вт время пайки не более 3с,а температура не выше 200 градусов.

3. В процессе монтажа необходимо исключить прохождение тока через транзисторы и обеспечить надёжный теплоотвод.

4. Не допускается располагать транзистор вблизи  тепловыделяющих элементов ,сетевых трансформаторов мощных резисторов ,а также в сильных электромагнитных полях.

 

 

 

Контроль качества.

1. Произвести визуальный осмотр на правильность установки транзистора, согласно монтажной схемы.

2. Обратить внимание на качество пайки инородных включений игольчатых наплывов ложных паек.