Исследование характеристик полупроводниковой структуры в FlexPDE
Курсовая работа, 29 Января 2014, автор: пользователь скрыл имя
Краткое описание
Построить распределение: концентрации свободных носителей заряда, напряженности электрического поля и потенциала, для полупроводниковой структуры, показанной на рисунке 1. Напряжение на затворах должно обеспечивать обеднение равное 15 длин Дебая при нулевом напряжении на истоке и стоке. Напряжение между истоком и стоком должно обеспечивать обеднение порядка 0.5 ширины канала. Характерные размеры элементов структуры порядка 1мкм.
Содержание
Постановка задачи. 3
Решение задачи для транзистора 4
Метод конечных элементов 6
FlexPDE: краткие сведения 6
Текст программы 8
Полученные результаты. 10
Вывод. 13
Список литературы. 14