Метод молекулярно-лучевой эпитаксии

Падая на подложку, служащую своего рода механическим держателем, атомы или молекулы встраиваются в кристаллическую структуру и как бы ее наращивают. Но в отличие от самой подложки - заготовки, которая остается неизменной, в выращиваемой структуре можно менять химический состав ее слоев, добавляя примеси и делая эти слои электрически активными. Таким образом мы управляем самой кристаллической и электрической структурой выращиваемых слоев.  гетероструктура, полупроводниковая (англ. semiconductor heterostructure) — искусственная структура, изготовленная из двух или более различных полупроводниковых веществ (материалов), в которой важная роль принадлежит переходному слою, т. е. границе раздела двух веществ (материалов). В состав полупроводниковых гетероструктур входят элементы II–VI групп (Zn, Cd, Hg, Al, Ga, In, Si, Ge, P, As, Sb, S, Se, Te), соединения AIIIBV и их твердые растворы, а также соединения AIIBVI. Из соединений типа AIIIBV наиболее часто используются GaAs и GaN, из твердых растворов — AlxGa1-xAs. Использование твердых растворов позволяет создавать гетероструктуры с непрерывным, а не скачкообразным изменением состава и, соответственно, непрерывным изменением ширины запрещенной зоны.  для изготовления гетероструктур часто используют твердые растворы системы AlAs–GaAs, так как арсениды алюминия и галлия имеют почти одинаковые параметры решетки. В этом случае монокристаллы GaAs являются идеальной подложкой для роста гетероструктур. Другой естественной подложкой является InP, который применяется в комбинации с твердыми растворами GaAs–InAs, AlAs–AlSb и др.