Розподіл електричного поля і контактні явища в широкозонних напівпровідниках і вузькозонних діелектриках

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 17 Ноября 2014 в 23:10, курсовая работа

Краткое описание

В першому розділі надано історичний огляд історії та походження золота. Отримання промислового золота. Розгляд властивостей золота . Застосування золота в промисловості.
У другому розділі розраховано розподіл поля та заряду в об’ємі Bi12SiO20. Також розраховано: залежність розподілу поля від координат; залежність розподілу заряду від координат. Представлено нормовані значення розподілу потенціалу, поля, заряду від координат. Розраховано кількість заряду в залежності від площі та густина заряду.

Содержание

Вступ……………………………………………………………..………………..6
1 Історія виникнення та властивості золота (Au)……………………………...7
1.1 Історія та походження назви золота (Au)………………………………..7
1.2 Поширення в природі золота (Au)………………………….………...….9
1.3 Хімічні властивості золота (Au)...………………….………………….....9
1.4 Фізичні властивості золота (Au)……………………………………..…11
1.5 Одержання золота (Au)………………………………………...………..12
1.6 Переваги золота (Au)…..………………………………………………...15
1.7 Використання в промисловості золота (Au)……………………….…...16
2 РОЗРАХУНОК РОЗПОДІЛУ ЕЛЕКТРИЧНОГО ПОЛЯ І КОНТАКТНИХ ЯВИЩ В ОБ’ЕКТІ ДОСЛІДЖЕННЯ Bi12SiO20……………….……………....18
2.1 Об’ект дослідження Bi12SiO20……………………………………...........18
2.2 Експерементальна установка для методу потенційного зонду ……....20
2.3 Обчислення розподілу поля та заряду в об’ємі Bi12SiO20……………..22
2.4Нормований графік……………………………………………………....25
2.5 Розрахунок накопичуваного заряду в досліджуваному матеріалі……26
ВИСНОВКИ…………………………………………………………………….30
Додаток А……………………………………………………………………….31
Додаток B……………………………………………………………………….32
Додаток C……………………………………………………………………….34
Додаток D……………………………………………………………………….35
Додаток E………………………………………………….……………………36
Додаток F…………………………………………………………………….….37
Додаток G…………………………………………………………………….…38
Додаток H…………………………………………………………………….…39
Додаток I………………………………………………………………….…….42

Прикрепленные файлы: 1 файл

KURSOVOJ_NA_PROVERKU.docx

— 553.63 Кб (Скачать документ)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблиця H.2 − Градуювання (градуювальні таблиця). Термопари ТПП: платина-13% родій/платина .

 

ТЕДС в мВ при температурі вільного кінця 0°С 

Температура робочого кінця °С

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

900

9,205

9,218

9,230

9,243

9,256

9,269

9,282

9,294

9,307

9,320

9,333

910

9,333

9,346

9,359

9,371

9,384

9,397

9,410

9,423

9,436

9,449

9,461

920

9,461

9,474

9,487

9,500

9,513

9,526

9,539

9,552

9,565

9,577

9,590

930

9,590

9,603

9,616

9,629

9,642

9,655

9,668

9,681

9,694

9,707

9,720

940

9,720

9,733

9,746

9,759

9,772

9,785

9,798

9,811

9,824

9,837

9,850

950

9,850

9,863

9,876

9,889

9,902

9,915

9,928

9,941

9,954

9,967

9,980

960

9,980

9,993

10,006

10,019

10,032

10,045

10,059

10,072

10,085

10,098

10,111

970

10,111

10,124

10,137

10,150

10,163

10,176

10,190

10,203

10,216

10,229

10,242

980

10,242

10,255

10,268

10,282

10,295

10,308

10,321

10,334

10,347

10,361

10,374

990

10,374

10,387

10,400

10,413

10,427

10,440

10,453

10,466

10,479

10,493

10,506

1000

10,506

10,519

10,532

10,546

10,559

10,572

10,585

10,599

10,612

10,625

10,638

1010

10,638

10,652

10,665

10,678

10,692

10,705

10,718

10,731

10,745

10,758

10,771

1020

10,771

10,785

10,798

10,811

10,825

10,838

10,851

10,865

10,878

10,891

10,905

1030

10,905

10,918

10,931

10,945

10,958

10,972

10,985

10,998

11,012

11,025

11,038

1040

11,038

11,052

11,065

11,079

11,092

11,106

11,119

11,132

11,146

11,159

11,173

1050

11,173

11,186

11,200

11,213

11,226

11,240

11,253

11,267

11,280

11,294

11,307

1060

11,307

11,321

11,334

11,348

11,361

11,375

11,388

11,402

11,415

11,429

11,442

1070

11,442

11,456

11,469

11,483

11,496

11,510

11,524

11,537

11,551

11,564

11,578

1080

11,578

11,591

11,605

11,618

11,632

11,646

11,659

11,637

11,686

11,700

11,714

1090

11,714

11,727

11,741

11,754

11,768

11,782

11,795

11,809

11,822

11,836

11,850

1100

11,850

11,863

11,877

11,891

11,904

11,918

11,931

11,945

11,959

11,972

11,986


 

 

 

Додаток I

 

Вуглецеві  нанотрубки – протяжні циліндричні структури діаметром від одного до декількох десятків нанометрів і завдовжки до декількох мікрон складаються

з однієї або декількох згорнутих в трубку  гексагональних графітових площин і

закінчуються зазвичай півсферичною головкою.

За значенням параметрів (n, m) розрізняють:

− прямі (ахіральні) нанотрубки;

− «крісло» (armchair) n=m;

− зигзагоподібні (zigzag) m=0 або n=0;

− спіральні (хіральні) нанотрубки.

 

Рисунок І.1 – Структура типу «крісло»

Рисунок І.2 – Зигзагоподібна структура

Рисунок І.3 – Хіральна структура

 

За структурою можна розрізняти як одношарові та багатошарові вуглецеві нанотрубки.

Методи одержання вуглецевих нанотрубок:

− розрядно-дуговий метод;

− метод хімічного осадження з пари;

− нанотрубки зі спирту;

− метод лазерної абляції;

− довгі нитки з нанотрубки;

− заточка багатошарових нанотрубок.

Застосування нанотрубок:

− пам’ять для електронно-обчислювальних машин;

− польовий транзистор;

− формування гетеро структур;

− як прототип плоских дисплеїв;

− контейнери для персування хімічних розчинів;

− використання у наномедицині.

 

 

Додаток  J

Гідрогенова установка

1)Електролізер  ;    8)Датчик температури ;

2)Форболон ;    9)Кристали ;

3)Осушувач ;    10)Тепловідхід ;

4)Генератор  високих частот ;  11)Електронасос ;

5)Кран ;     12)Вакуумний насос ;

6)Магнітна  пастка ;   13)Вакуумна лампа;

7)Датчик  концентрації атомарного гідрогену ;

 

 

Перелік посилань

 

  1. Пасынков В.В., Материалы электронной техники : учеб.для студ. вузов по спец. Электронной технике , [текст] , Пасынков В.В , Сорокин В.С. , изд. Лань 2001г.
  2. Гершунский Б.С. , Основы электроники и микроэлектроники. Электронной технике , [текст] Гершунский Б.С.  К.: Висшая школа, 1987.
  3. Миклашевский С.П. Промышленная электроника. Изд. 2-е, перар. и доп., [текст] , Миклашевский С.П, М.: Висшая школа, 1973.
  4. Жеребцов И.П. Основы электроники.− 5-е изд., перераб. и доп., [текст] , Жеребцов И.П.Л.: Энергоатомиздат, Ленингр. отд-ние, 1989.
  5. Використання шляхетних металів http://www.dormetal.blogspot.com/2011/11/blog-post_27.html (Електронний ресурс)
  6. Золото. Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії http://uk.wikipedia.org/wiki/Золото (Електронний ресурс)

 


Информация о работе Розподіл електричного поля і контактні явища в широкозонних напівпровідниках і вузькозонних діелектриках