Собственные и примесные полупроводники. Статистика носителей заряда в полупроводниках

Чем выше температура и меньше ширина запрещённой зоны, тем выше скорость тепловой генерации носителей заряда– электронов и дырок. Одновременно с генерацией в полупроводнике происходит противоположный процесс –рекомбинация, т.е. возвращение электрона в валентную зону и исчезновение пары свободного электрона и дырки.