Исследование вольт – емкостных характеристик полупроводникового диода
Лабораторная работа, 29 Декабря 2013, автор: пользователь скрыл имя
Краткое описание
Цель работы: изучить явления, происходящие в p-n-переходе под действием внешнего напряжения. Исследовать закономерность изменения барьерной ёмкости p-n перехода под действием напряжения. На основе экспериментальных результатов оценить характер распределения примесей в p-n переходе и величину контактной разности потенциалов.