Кінетичні явища в напівпровідниках

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 25 Декабря 2013 в 14:55, курсовая работа

Краткое описание

Розглянуто основні фізичні явища, що виникають в напівпровідниках при впливі електричних і магнітних полів. Виклад матеріалу базується на фундаментальних фізичних співвідношеннях, що описують механізми переносу носіїв заряду. Показано вплив постійних і змінних електричних і магнітних полів на електронний газ в напівпровідниках. Описано області застосування відомих кінетичних ефектів для практичних цілей.

Содержание

Передмова ...................................................................... 3
Прийняті позначення ................................................ .......................... 4
Глава 1. Основи кінетичних явищ в напівпровідниках ...... 5
1.1. Функція розподілу носіїв заряду ........................ 5
1.2. Рівняння Больцмана ................................................. 6
1.3. Висновок формули Конуелл-Вайскопф .............................. 12
1.4. Кінетичне рівняння для електронів в кристалі .......... 16
1.5. Розсіювання електронів на коливаннях гратки в атомному кристалі .................................................................
21
1.6. Розсіювання електронів провідності в іонних кристалах ... 26
1.7. Визначення часу релаксації електронів провідності в іонному кристалі ....................................................
28
1.8. Теорія деформаційного потенціалу в кубічних кристалах з простої зонної структурою ........................
31
1.9. Визначення ймовірності переходу електрона при розсіюванні 33
1.10. Визначення часу релаксації у випадку дії декількох механізмів розсіювання