Автор работы: Пользователь скрыл имя, 16 Апреля 2013 в 19:16, реферат
Интегральные микросхемы, в которых на ряду с пленочными элементами, сформированными по групповой тонко- или толстопленочной технологии, содержатся имеющие самостоятельное конструктивное исполнение полупроводниковые активные компоненты (ИМС, транзисторы, диоды), изготовлены по полупроводниковой технологии, называют гибридными интегральными микросхемами (ГИС).
ГИС по сравнению с полупроводниковыми имеют ряд преимуществ: обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов (более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число и менее заметное влияние паразитных элементов); позволяют использовать любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые БИС и СБИС.
ВВЕДЕНИЕ
1. Элементы и компоненты гибридных интегральных микросхем
1.1. Подложки ГИС
1.2. Элементы ГИС
1.3. Компоненты ГИС
2. Технология производства гибридных интегральных микросхем
2.1. Технологические маршруты производства тонкопленочных ГИС
2.2. Технологические маршруты производства толстопленочных ГИС
2.3. Нанесение тонких пленок в вакууме
2.4. Нанесение толстых пленок
3. Применение ГИС микросхем в микроэлектронной аппаратуре
3.1. Особенности применения ГИС в МЭА
ЗАКЛЮЧЕНИЕ