Автор работы: Пользователь скрыл имя, 08 Января 2012 в 18:51, реферат
Магниторезистивная оперативная память (MRAM — англ. magnetoresistive random-access memory) — это запоминающее устройство c произвольным доступом, которое хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов.
Важнейшее преимущество этого типа памяти — энергонезависимость, то есть способность сохранять записанную информацию (например програмные контексты задач в системе и состояние всей системы) при отсутствии внешнего питания.