Автор работы: Пользователь скрыл имя, 23 Октября 2013 в 20:26, дипломная работа
В основе работы установки лежит принцип совмещения изображений на фотошаблоне и полупроводниковой пластине и переноса изображения с фотошаблона на пластину методами контактного экспонирования без зазора и экспонирование с зазором.
2.На фотошаблоне имеются прозрачные и непрозрачные элементы, которые по специальным знакам совмещаются с соответствующими элементами на полупроводниковой пластине.
На пластине нанесен слой фоторезиста, который при экспонировании через фотошаблон меняет свои химические свойства под прозрачными и непрозрачными элементами фотошаблона и благодаря этому обеспечивает проведение дальнейших технологических операций.