Фотосопротивления и фоторезистор

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 28 Мая 2013 в 13:51, реферат

Краткое описание

В основе принципа действия фоторезисторов лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости — увеличение концентрации носителей заряда — электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой полупроводникового материала в таких сопротивлениях помещен между двумя токопроводящими электродами. Под воздействием светового потока электрическое сопротивление слоя меняется в несколько раз ( у некоторых типов фотосопротивлений оно уменьшается на два- три порядка ).

Прикрепленные файлы: 1 файл

Электротехника.docx

— 24.99 Кб (Скачать документ)

ФОТОРЕЗИСТОР (от фото... и  резистор), представляет собой непроволочный полупроводниковый резистор, омическое сопротивление которого определяется степенью освещенности . В основе принципа действия фоторезисторов лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости — увеличение концентрации носителей заряда — электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой полупроводникового материала в таких сопротивлениях помещен между двумя токопроводящими электродами. Под воздействием светового потока электрическое сопротивление слоя меняется в несколько раз ( у некоторых типов фотосопротивлений оно уменьшается на два- три порядка ). В зависимости от применяемого слоя полупроводникового материала фотосопротивления подразделяются на сернистосвинцовые, сернистокадмиевые, сернисто-висмутовые и поликристаллические селено- кадмиевые. Фотосопротивления обладают высокой чувствительностью, стабильностью , экономичны и надежны в эксплуатации. В целом ряде случаев они с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.

Основные характеристики фотосопротивлений.

  1. Рабочая площадь.



Темновое сопротивление (сопротивление в полной темноте), варьирует в обычных приборах  от 1000 до 100000000 ом.

  1. Удельная чувствительность

         где:                                                                                                             



  

-фототок, равный разности  токов в темноте и на свету;

             Ф - световой поток;

        U - приложенное напряжение.

 

  1. Предельное рабочее напряжение ( как правило от 1  до 1000 в ).
  2. Среднее относительное изменение сопротивления, % -

     обычно лежит  в пределах 10 - 99,9 %,



   

 

 

, где :

 

 



-сопротивление  в темноте;

 

 



    -сопротивление  в освещенном состоянии.

 

6. Средняя кратность изменения  сопротивления ( как правило от 1 до 1000 ). Определяется соотношением :

 

 

Применение: устройства воспроизведения  звука, системы слежения, различные  устройства автоматики.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Схема включения фоторезисторов:

 




 

 

 


 




 


 

 

 

 

 

При определенном освещении  сопротивление фотоэлемента уменьшается, а, следовательно, сила тока в цепи возрастает, достигая значения, достаточного для работы какого- либо устройства ( схематично показано в виде некоторого сопротивления нагрузки ).


Информация о работе Фотосопротивления и фоторезистор