Тепловой расчет тиристоров в заданном эксплуатационном режиме силового блока полупроводникового аппарата

Интенсивное развитие силовой полупроводниковой техники определило появление целого ряда научно-технических направлений в развитии электротехнической промышленности. Качественно новые изменения произошли и в области электроаппаратостроения. Появилась возможность создания коммутационных и защитных аппаратов с быстродействием и коммутационным ресурсом, недоступным для традиционных электромеханических аппаратов. Эти свойства, а также преимущества, связанные с отсутствием подвижных частей и дуговых явлений, способность осуществлять регулирование проходной мощности, чувствительность к управлению, высокая надёжность и низкие эксплуатационные расходы обусловили широкое использование сильноточных полупроводниковых (электронных) аппаратов в сетях низкого напряжения в качестве аппаратов управления и защиты

Введение
1. Полупроводниковое аппаратостроение на основе силовой электроники
1.1. Преимущества силовых полупроводниковых аппаратов………………….7
1.2. Недостатки силовых полупроводниковых аппаратов……………………..7
1.3.Специфические требования к СППА в эксплуатационных режимах….....8
1.4. Область применения СППА……………………………………………......10
2. Современная силовая электроника
2.1. Традиционный тип полупроводниковых приборов
2.1.1. Диод……………………………………………………………..13
2.1.2. Транзистор………………………………………………………15
2.1.3. Тиристор………………………………………………………...17
2.2.Современные разработки силовых полупроводниковых приборов.
2.2.1.Тиристор GTO…………………………………………………...21
2.2.2.Тиристоры GCT………………………………………………….24
2.2.3.Тиристоры IGCT………………………………………………...26
2.2.4. Тиристоры IGBT………………………………………………..27
2.2.5. Полевой транзистор с изолированным затвором MOSFET…28
2.3. Функциональные параметры СПП………………………………………...28
2.4. Технико – экономические возможности применения СПП.…………….30
3. Основные характеристики силовых полупроводниковых проборов по току и напряжению.
3.1. Температура полупроводниковой структуры – критерий работоспособности полупроводниковых приборов…………………………………........32
3.2. Характеристики по току и напряжению……………………………..……34
3.3. Спрямленная вольтамперная характеристика, параметры………………38
3.4. Взаимосвязь температуры полупроводниковой структуры с потерями и тепловым сопротивлением
3.4.1. Установившийся режим……………………….....................44
3.4.2. Переходный процесс………………………………………….44
4. Расчет температуры СПП в заданном эксплуатационном режиме
4.1. Расчетное задание…………………………………………………………46
4.2. Расчет температуры в заданном длительном режиме………………….47
4.3. Расчет температуры в импульсном режиме……………………………..47
4.4. Оценка расчетной температуры полупроводникового прибора в эксплуатационном режиме…………………………………………………………..49
Заключение
Список использованных источников