Расчет параметров кремниевого интегрального МДП-транзистора
Курсовая работа, 16 Декабря 2014, автор: пользователь скрыл имя
Краткое описание
Транзистор (от англ. transfer — переносить и resistor — сопротивление) – электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний. Изобретён в 1948 У. Шокли, У.Браттейном и Дж. Бардином (Нобелевская премия, 1956). На основе транзисторов и их применений выросла широкая отрасль промышленности – полупроводниковая электроника. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов – интегральных схем.
Содержание
Введение………………………………………………………………………………….…………3
§ 1. Теоретические сведения………………………………………………………..…………..3
§2. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального n-канального МДП-транзистора
§ 2.1. Исходные данные. Задание ……………………………………………………………..8
§2.2.1. Расчет и корректировка порогового напряжения транзистора………..…..10
§2.2.2. Расчет ВАХ в рамках идеализированной модели………………………………...11
§2.2.3. Расчет ВАХ с учетом неоднородности ОПЗ под затвором…………………..12
§2.3. Малосигнальная эквивалентная схема и ее параметры………………………….15
§2.4.1. Факультативное задание: расчет и корректировка порогового напряжения с учетом эффектов короткого и узкого канала…………………………………………..16
§2.4.2. Факультативное задание: расчет реальной ВАХ, зависящей от V_BS.………17
§2.4.3. Факультативное задание: расчет параметров эквивалентной схемы……..19
§3.1. Структура и топология МДП-транзистора……………………………………….20
§3.2. Краткий технологический маршрут изготовления МДП-структур………….21
Выводы главы…………………………………………………………………………………….23
Прикрепленные файлы: 1 файл
Григорьев П.А. ЭКТ-45.docx
— 315.12 Кб (Скачать документ)
в) формируют тонкий подзатворный слой диоксида кремния и наносят на него слой поликремния (затвор);
г) ионным легированием мышьяка формируют n+-области истока и стока;
д) химическим паровым осаждением наносят слой диоксида кремния, формируют в нем окна, напыляют пленку алюминия и методом фотолитографии создают рисунок металлических проводников.
Выводы главы
В данной главе произведен расчет параметров МДП-транзистора. Сводка результатов представлена в таблице 1.3.
№ |
Параметр |
Результат |
1 |
Структура исследуемого МДП-транзистора |
Рис. 1.8а |
2 |
Топологический чертеж исследуемого МДП-транзистора |
Рис. 1.8б |
3 |
Рассчитанное пороговое напряжение Vt0, B |
|
4 |
Доза подлегирования D, см-2 |
|
5 |
Коэффициент влияния подложки КB,B1/2 |
|
6 |
Толщина ОПЗ под затвором lT, мкм |
0.16 |
7 |
Толщина ОПЗ под истоком lS, мкм |
0.44 |
8 |
Толщина ОПЗ под стоком lD, мкм |
1.03 |
9 |
Крутизна ВАХ g, мкА/В |
1097 |
10 |
Выходная проводимость G, мкОм-1 |
678 |
11 |
Собственный коэффициент усиления по напряжению К |
|
12 |
Маршрутная карта изготовления транзистора |
§1.2.1 |
Табл. 1.3 – сводка конечных результатов
Список литературы
- Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники: учеб. пособие – М.: Высшее образование; Юрайт-Издат, 2009
- Титова И.Н. Методические указания по выполнению курсового проекта. Учебно-методическая разработка для самостоятельной работы студентов по курсу «Элементы твердотельной электроники и физики полупроводниковых приборов»
- Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. Ростов н/Д: Феникс, 2010
~ ~