Напівпровідниковий лазер

У 1959 році Н.Г. Басов, Б.М. Вул і Ю.М. Попов запропонували у вигляді робочого тіла використовувати напівпровідник. Вимушене випромінювання на р-п-переході спостерігалось у 1962 році на GаАs. Специфіка напівпровідникових лазерів порівняно з твердотільними, молекулярними і іншими полягає в наступному:
У "звичайних" лазерах активні атоми розглядаються як незалежні, тобто енергетичні рівні, між якими виконується перехід, для всіх атомів одні і ті ж. В напівпровідникових кристалах є часткове просторове перекриття хвильових функцій атомів, і кожний енергетичний рівень може бути зайнятий за принципом Паулі тільки двома електронами. Ймо¬вірність заповнення енергетичного рівня описується функцією розподілу Фермі-Дірака,а не Больцмана. Отже, при розгляді міжзонного погли-нання або випромінювання світла на даній частоті, потрібно розглядати переходи між двома зонами енергетичних рівнів, а не між двома окремими рівнями.