Центры прилипания и их влияние на фото электрические свойства полупроводника

Явление фотопроводимости было открыто в 1873 году У.Смитом. В настоящее время это явление широко используется для создания электронных приборов, полупроводниковых фотоприемников.
Если оптическое возбуждение электронов происходит из валентной зоны в зону проводимости, то имеет место собственная фотопроводимость, обусловленная электронами и дырками. Фотопроводимость, обусловленная переходами электронов между уровнями примеси и зонами, называется примесной фотопроводимостью.

Введение……………….………………………………………………..3
Зонная структура полупроводника....…………………………….…...5
Классификация уровней энергии возникающие за счет примесных состоянии...........………………………………………………….…….7
Дифракция на щели…………………………………………………….13
Дифракционная решетка ……………………...……………………….16
Принцип Гюйгенса – Френеля.………………………………………...19
Метод зон Френеля……………………………………………………..20
Оптические приборы с дифракционной решеткой ……...…………...22
Заключение……………………………………………………………...27
Список литературы…………………..…………………………………28