Автор работы: Пользователь скрыл имя, 13 Июля 2013 в 10:04, курсовая работа
Цель работы — приобрести навыки самостоятельного решения инженерных задач по разработке конструкции и технологии микросхем.
В схему данного прибора  входят: резисторы, конденсаторы, диоды  и транзисторы. В данной работе разрабатываются  все этапы от анализа технического задания до выпуска конструкторской (КД) и технологической (ТД) документации для производства триггера  в  интегральном исполнении. Основными  этапами являются: выбор материалов пленочных резисторов, проводников, подложки, а также конструкции  корпуса, навесных компонентов и  технологического оборудования. Разрабатываются  топология платы, технологический  процесс изготовления платы и  сборки всей микросхемы на основе типовых  технологических процессов.
РЕФЕРАТ....................................................................................................................5
ВВЕДЕНИЕ.................................................................................................................6
1 АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКОГО  ЗАДАНИЯ...........................................................7
   1.1 Состав технического  задания............................................................................7
         1.1.1 Электрические требования.......................................................................7
         1.1.2 Конструктивные требования....................................................................7
         1.1.3 Производственно-технологические  требования.....................................7
         1.1.4 Эксплуатационные требования................................................................7
         1.1.5 Дополнительные требования....................................................................8
   1.2 Обеспечение технических  требований.............................................................8
   1.3 Анализ элементной  базы....................................................................................8
2 ВЫБОР И ОБОСНОВАНИЕ  ВЫБОРА МАТЕРИАЛОВ...............................9
   2.1 Резистивные материалы.....................................................................................9
   2.2 Проводниковые материалы.............................................................................10
   2.3 Материал подложки.........................................................................................10
3 РАСЧЕТ КОНСТРУКЦИИ  ПЛАТЫ................................................................12
   3.1 Расчет геометрических  размеров плёночных резисторов............................12
         3.1.1 Расчёт коэффициента формы резисторов.............................................15
        3.1.2 Расчёт геометрических размеров резисторов с Кф<1...........................15
   3.2 Конструкторско-технологические  требования к навесным
         компонентам.....................................................................................................17
   3.3 Расчет и выбор  типоразмера платы................................................................18
4 РАЗРАБОТКА  СХЕМЫ КОММУТАЦИИ И АНАЛИЗ  КАЧЕСТВА 
   ТОПОЛОГИЧЕСКОГО  ЧЕРТЕЖА….............................................................19
5 РАСЧЕТ КОНСТРУКЦИИ  КОРПУСА….......................................................21
   5.1 Расчет типоразмера  корпуса............................................................................21
   5.2 Обоснование выбранной  конструкции корпуса............................................23
         5.2.1 Описание конструкции корпуса.............................................................23
         5.2.2 Обоснование выбора материалов  корпуса............................................23
   5.3 Выбор и обоснование  метода герметизации..................................................24
   5.4 Контроль герметичности  корпуса...................................................................25
6 ВЫБОР И ОБОСНОВАНИЕ  ВЫБОРА МЕТОДОВ 
   МИКРОКОНТАКТИРОВАНИЯ  НАВЕСНЫХ КОМПОНЕНТОВ,
   КОНТАКТНЫХ  ПЛОЩАДОК ПЛАТЫ И ВЫВОДОВ КОРПУСА..........27
7 РАЗРАБОТКА  МАРШРУТНЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ
   ПРОЦЕССОВ  ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИС...........................................................29
   7.1 Технологический  процесс изготовления платы............................................29
   7.2 Технологический  процесс сборки ГИС..........................................................34
8 ОПИСАНИЕ И  ОБОСНОВАНИЕ РАЗРАБОТАННОЙ МАРШРУТНОЙ
   ТЕХНОЛОГИИ  ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИС. ВЫБОР И ОБОСНОВАНИЕ
   ВЫБОРА  СООТВЕТСТВУЮЩЕГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО 
   ОБОРУДОВАНИЯ...............................................................................................38
   8.1 Описание и  обоснование разработанной маршрутной    технологии 
         изготовления ГИС. Выбор и обоснование    выбора соответствующего
         технологического  оборудования....................................................................38
   8.2 Технические характеристики  используемого оборудования.......................43
ВЫВОДЫ..................................................................................................................49
ПЕРЕЧЕНЬ ССЫЛОК...........................................................
Масса, кг                            
Установка 
контроля герметичности вакуумно-
Предназначена для контроля герметичности корпусов микросхем вакуумно-жидкостным методом.
Техническая характеристика
Производительность, 
корпусов/ч                    
Размеры рабочей камеры, мм:
      
диаметр                       
      
высота                        
Предельное 
давление вакуумной системы, мм.рт.ст.                     
Потребляемая 
мощность, кВт                           
Питание от сети переменного тока:
     
напряжение, В                             
     
частота, Гц                   
Габаритные 
размеры, мм                            
Масса, кг                            
Полуавтоматическая установка УКГМ-2
Предназначена для контроля герметичности масс-спектрометрическим методом снабжена поворотной трехпозиционной каруселью.
Техническая характеристика
Производительность, 
шт/ч                               
Внутренние 
размеры (диаметр∙высота), мм                            
Максимальная чувствительность установки к потоку гелия, см3*Па/с 10-9
Верхний предел отбраковки корпусов по потоку гелия, см3*Па/с 1.3*10-4
Расход сжатого воздуха при давлении 0,1…0,4 МПа, л/ч 0,5
Расход 
жидкого азота, л/ч                               
Потребляемая 
мощность, кВт                           
Габариты, 
мм                            
Масса, кг                            
 
ВЫВОДЫ
Конструкторская и технологическая документации соответствуют требованиям ЕСКД и ЕСТД. Комплект КД выполнен с использованием программ – КОМПАС и AutoCAD.
Разработанная ГИС соответствует требованиям технического задания.
ПЕРЕЧЕНЬ ССЫЛОК