Использование магнитных датчиков в автомобилях

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 01 Июня 2013 в 18:13, курсовая работа

Краткое описание

Многие происходящие явления и процессы, так или иначе, связаны с магнитным полем (МП). В современной технике существует немало различных объектов и устройств, работа которых основана на взаимодействии с МП или в которых последнее используется в качестве управляющей среды.
Влияние магнитных полей настолько велико, что весьма актуальными являются задачи по контролю МП, их изучению и эффективному применению в науке, технике и быту.
Основным элементом объектов и устройств, использующих магнитное поле, является, преобразователь магнитного поля (ПМП), который обеспечивает преобразование магнитного потока в электрический сигнал.

Прикрепленные файлы: 1 файл

Текст.docx

— 474.83 Кб (Скачать документ)

Министерство образования  и науки Российской Федерации

Федеральное государственное  автономное образовательное учреждение высшего

профессионального образования

"Уральский федеральный университет имени

Первого Президента России Б.Н. Ельцина"

Институт естественных наук

Физический факультет

 

 

 

 

Курсовой проект

Использование магнитных  датчиков в автомобилях

 

 

 

 

 

Исполнитель: Студент гр. И-304

Петров Илья Андреевич

Научный руководитель: Тарасов Евгений Николаевич

Зав. кафедрой: Васьковский  Владимир Олегович

 

 

 

 

 

Екатеринбург 2012

Введение

Многие происходящие явления  и процессы, так или иначе, связаны с магнитным полем (МП). В современной технике существует немало различных объектов и устройств, работа которых основана на взаимодействии с МП или в которых последнее используется в качестве управляющей среды.

Влияние магнитных полей  настолько велико, что весьма актуальными  являются задачи по контролю МП, их изучению и эффективному применению в науке, технике и быту.

Основным элементом объектов и устройств, использующих магнитное поле, является, преобразователь магнитного поля (ПМП), который обеспечивает преобразование магнитного потока в электрический сигнал.

При создании ПМП используются различные физические явления, происходящие (возникающие) в полупроводниках и металлах при взаимодействии с магнитным полем.

Эти явления, известные как  эффекты Холла и Гаусса, были открыты  в конце девятнадцатого века (в1879 г.). Однако в практической деятельности их начали использовать спустя три  четверти века, когда успехи в материаловедении и технологии позволили наладить промышленный выпуск дискретных преобразователей магнитного поля, (в основном, так  называемых «монолитных» датчиков Холла  и магниторезисторов), которые стали широко применяться в науке и технике.

Использование преобразователей магнитного поля первого поколения  позволило существенно повысить надежность и эксплуатационные характеристики многих устройств автоматики и вычислительной техники, уменьшить их габариты и  стоимость.

ПМП применяют в составе  функционально ориентированных датчиков различного назначения.

 

 

 

1

1.Элементы Холла

Элементы Холла, часто  называемые «датчиками Холла», являются самыми распространенными преобразователями  магнитного поля.

Действие этих элементов  основано на эффекте Холла, который  заключается в «возникновении поперечной разности потенциалов при прохождении  электрического тока в поперечном ему  магнитном поле».

Элемент Холла представляет собой пластину из полупроводникового материала толщиной d, по четырем  сторонам которой расположены контакты. Контакты 1 и 2 называются токовыми, а  контакты 3, и 4 выходными или измерительными (иногда эти контакты называют холловскими) – см. рис ниже

Принцип действия элемента Холла объясняется следующим  образом.

Через контакты 1 и 2 пропускают управляющий ток Iуп, а с контактов 3 и ,4 снимают напряжение Холла (VH)..В общем виде выражение для напряжения Холла (VH) должно быть записано, как

В/А х Тл

где RH - постоянная Холла (коэффициент Холла);

d – толщина элемента;

Iуп – ток управления;

B – индукция воздействующего  магнитного поля.

 

 

2

Постоянная Холла определяется, значением

или

где RHp - постоянная Холла для дырок;

RHn - постоянная Холла для электронов;

q – заряд электрона;

p – концентрация дырок;

n – концентрация электронов.

Конструкция элементов Холла  в значительной степени определяется областью их возможного применения, в нашем случае - автомобильной области.

2.Магниторезисторы

Магниторезисторы – это электронные компоненты, действие которых основано на изменении электрического сопротивления полупроводника (или металла) при воздействии на него магнитного поля.

Механизм изменения сопротивления  довольно сложен, так как является результатом одновременного действия большого числа разнообразных факторов. К тому же он не одинаков для разных типов приборов, технологий и материалов. Даже краткое описание принципа действия магниторезистора заняло бы слишком много места.

Магниторезисторы характеризуются такими параметрами, как чувствительность, номинальное сопротивление, рабочий ток, термостабильность и быстродействие, диапазон рабочих температур.

Выделяются две большие  группы магниторезисторов, которые условно можно разделить на «монолитные» и «пленочные». Рассмотрим монолитный тип магниторезисторов.

Действие «монолитных» магниторезисторов основано на эффекте Гаусса, который характеризуется возрастанием сопротивления проводника (или полупроводника) при помещении его в магнитное поле.

Конструкция «монолитного»  магниторезистора приведена на рис. ниже

3

 

Магниторезистор представляет собой подложку с размещенным на ней магниточувствительным элементом (МЧЭ). Подложка обеспечивает механическую прочность прибора. Элемент приклеен к подложке и защищен снаружи слоем лака. МЧЭ может размещаться в оригинальном или стандартном корпусе и снабжаться ферритовым концентратором магнитного поля, или «смещающим» постоянным микромагнитом.

«Монолитные» магниточувствительные элементы изготавливаются из полупроводниковых материалов, обладающих высокой подвижностью носителей заряда. К таким материалам относятся антимонид индия (InSb) и его соединения, арсенид индия (InAs) и др.

Чувствительность магниторезистивного  элемента изменяется и при изменении  угла между вектором магнитной индукции и плоскостью элемента. Эта зависимость  выражается формулой:

где RB- сопротивление МЧЭ при воздействии магнитного поля (В = Вном);

R0 – сопротивление МЧЭ при отсутствии магнитного поля (В = 0);

φ – угол между векторами  напряженности электрического и  магнитного полей.

4

3.Микроэлектронные  магнитные датчики

Датчиком, или первичным  преобразователем, называют устройство, осуществляющее восприятие контролируемой величины и преобразование её в величину, удобную для передачи по линиям связи  и дальнейшего преобразования. Для  понимания принципов действия ниже приведем основные понятия, а также  специфические параметры и определения, характерные для датчиков.

 

Входная величина – величина, воспринимаемая и преобразуемая датчиком.

Выходной сигнал датчика представляет собой определенное изменение несущей величины (тока, напряжения и т.п.), используемое для передачи информации. Изменение (модуляция) несущей величины может осуществляться по амплитуде, по переменному признаку (изменение частоты, длительности воздействия, порядка чередования воздействий), а также по пространственному признаку (чередование сигналов в каналах связи).

Статическая характеристика датчика – функциональная зависимость между изменениями входной X и выходной Y величинами. Наиболее приемлемой для большинства случаев является линейная характеристика, определяемая зависимостью:

Где - называется чувствительностью датчика

Порог чувствительности датчика определяется как минимальное изменение входной величины, вызывающее изменение выходного сигнала.

Основная погрешность  датчика характеризуется максимальной разностью между получаемой величиной выходного сигнала и его номинальным значением, определяемым по статической характеристике для данной входной величины при нормальных условиях. Она выражается как в абсолютных единицах:

Так и в относительных. В последнем случае её обычно относят  к разности предельных значений выходной величины и выражают в процентах:

5

Нормальными условиями  эксплуатации датчиков обычно считаются следующие:

• температура окружающей среды 20±5°С;

• атмосферное давление 760±20 мм. рт. ст.;

• относительная влажность  окружающего воздуха 60±20%.

Вибрации, паразитные электрические  и магнитные поля при этом отсутствуют.

Дополнительные  погрешности датчика это погрешности, вызываемые изменением внешних условий по сравнению с их номинальными значениями. Они выражаются обычно в процентах, отнесённых к изменению мешающего фактора на определённую величину (например, температурная погрешность 1,5 % на 10 °С; погрешность от внешнего магнитного поля 0,2 % на 10 мТл и т.д.)

Динамическая  характеристика датчика определяет поведение датчика при быстрых изменениях входной величины. Динамическая характеристика зависит от внутренней структуры датчика и его элементов. Она может быть задана различными методами. Однако наиболее широко используют амплитудно-частотную и фазовую характеристики.

Частотная характеристика это зависимость чувствительности датчика от частоты изменения выходного сигнала.

Фазовая характеристика это зависимость сдвига фаз между векторами входной и выходной величин от частоты синусоидального изменения входной величины.

 

 

 

 

6

3.1.Общие требования, предъявляемые к датчикам

В зависимости от конкретных условий применения датчиков к ним  предъявляются некоторые общие  требования.

Ниже приведён примерный  перечень этих требований:

• однозначная зависимость  выходной величины от входной;

• высокая избирательность; датчик должен реагировать только на изменение той величины, для которой

он предназначен;

• минимальное изменение  характеристик под влиянием внешних  факторов (например, температуры, угла наклона, вибраций и т.п.);

• определенный вид зависимости  между выходной и входной величинами;

• высокая чувствительность (отношение приращения выходной величины к приращению входной);

• определенные динамические характеристики (постоянная времени);

• повторяемость характеристик (взаимозаменяемость);

• стабильность характеристик  во времени;

• устойчивость к химическим воздействиям измеряемой и окружающей сред;

• устойчивость против механических, термических, электрических и т.п. перегрузок;

• взрывобезопасность;

• простота и технологичность  конструкции;

• удобство монтажа и  обслуживания;

• низкая стоимость при  серийном производстве.

 

 

 

7

4. Магнитные датчики в системах автомобильной электроники

В связи с тем, что в  последние годы происходит бурное развитие автомобильной электроники, идущее по пути создания достаточно сложных  систем управления, число всевозможных датчиков растёт. В современном автомобиле их количество может составлять от 50 до 500 штук.

Эти датчики могут быть построены на различных физических принципах. Однако условия работы в автомобиле существенно ограничивают возможность их использования. Достаточно сказать, что изделия автомобильной электроники должны работать в жёстких температурных условиях (-45 до +150), при постоянной вибрации и ударах, загрязнении маслом и охлаждающими жидкостями, значительных бросках напряжения бортовой сети питания. Практически единственным типом датчиков, пригодным к использованию в данных условиях являются магнитные датчики, поскольку только они могут обеспечить всю совокупность требований.

8

Перечень некоторых типов датчиков, используемых в автомобильной технике представлен выше.

На долю автомобильной  техники приходиться значительный объём выпускаемых в мире датчиков. В современном автомобиле их количество может составлять 50-500 штук.

Из 75 наименований 48 (выделены курсивом) могут быть реализованы  с применением преобразователей магнитного поля.

4.1. Датчики скорости вращения, основанные на счете зубьев ферромагнитных шестерен

В данном случае датчик скорости вращения представляет собой магнитоэлектронное устройство, состоящее из преобразователя магнитного поля и смещающего магнита, размещенных в одном корпусе. В качестве ПМП, в зависимости от назначения датчика, могут использоваться практически любые из известных МЧЭ: магниторезисторы, элементы Холла, магнитодиоды и магнитотранзисторы, магнитотиристоры, магнитоуправляемые и магниточувствительные микросхемы, и др.

Принцип работы таких датчиков иллюстрируется на рис. 1:

 

 

9

Датчик скорости вращения: а - схематическое устройство; б - зависимость индукции в зазоре от положения зуба; в - вид сигнала в аналоговой форме; г - вид сигнала в цифровой форме.

 

При перемещении зубчатого  колеса из ферромагнитного материала в зоне действия датчика изменяется плотность магнитного потока (рис. 1.б.). Если вблизи МЧЭ оказывается зуб из ферромагнитного материала, то плотность магнитного потока возрастает, и напряжение сигнала на выходе датчика будет представлять смену состояний типа «зуб - воздушный зазор». Вращающаяся шестерня вызывает появление модулированного сигнала. Частота импульсов за один оборот совпадает с числом зубьев. В зависимости от используемой элементной базы, сигнал с выхода датчиков может сниматься как в аналоговой (рис. 1.в), так и цифровой форме (рис. 1.г). В случае необходимости аналоговый сигнал легко преобразуется в цифровую форму при помощи компаратора. Основные параметры датчиков скорости вращения определяются параметрами используемых в них преобразователях магнитного поля.

Применяются данного типа датчики в автомобиле в качестве датчиков скорости (спидометр),датчики Анти - Блокировочной Системы (АБС),  а так же различные датчики положения (распределительного, коленчатого вала, дроссельной заслонки и т.д.) (для более подробного примера см. Приложение 1)

4.2. Датчик наклона для автомобильной охранной сигнализации

На рис. 2 приведена конструкция и схема простейшего датчика наклона, предназначенная для автомобильной сигнализации.

Конструкция (а) и схема (б) датчика наклона: 1 - магнитопровод; 2 - кольцевой магнит;3 -стойка; 4 - магниторезисторы; 5- воронка; 6 - стальной шарик

Информация о работе Использование магнитных датчиков в автомобилях