Электрические переходы в полупроводнике, p – n переход, прямое и обратное включение, пробой, ёмкость p – n перехода. Импульсные устройства (и

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 28 Апреля 2013 в 16:52, реферат

Краткое описание

Полупроводник – материал, который по своей удельной проводимости занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличается от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и воздействия различных видов излучения. Основным свойством полупроводника является увеличение электрической проводимости с ростом температуры. Электрическая проводимость – способность тела проводить электрический ток. Удельная проводимость – мера способности вещества проводить электрический ток. Электрический переход в полупроводнике – это граничный слой между двумя областями твёрдого тела с разными типами и значениями проводимости.

Содержание

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ В ПОЛУПРОВОДНИКЕ..................................3
p – n ПЕРЕХОД...........................................................................................................3
n – проводимость и p – проводимость...........................................................4
Образование запирающего слоя при контакте полупроводников p – и n –типов..................................................................................................................5
ПРЯМОЕ И ОБРАТНОЕ ВКЛЮЧЕНИЕ p – n ПЕРЕХОДА..................................6
ПРОБОЙ p – n ПЕРЕХОДА.......................................................................................7
ЕМКОСТЬ p – n ПЕРЕХОДА....................................................................................8
ИМПУЛЬСНЫЕ УСТРОЙСТВА..............................................................................9
Импульсный режим работы, импульсные сигналы......................................9
ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ....................................................................................12
Транзисторная ключевая схема....................................................................12
Стационарные состояния ключевой системы.............................................13